Condensatore snubber GTO in apparecchiature elettroniche di potenza

Breve descrizione:

I circuiti snubber sono essenziali per i diodi utilizzati nei circuiti di commutazione. Possono proteggere un diodo dai picchi di sovratensione che possono verificarsi durante il processo di ripristino inverso.

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Dati tecnici

Intervallo di temperatura di esercizio	Temperatura massima di esercizio: + 85℃Temperatura categoria superiore: +85℃Temperatura categoria inferiore: -40℃
intervallo di capacità	0,22～3μF
Tensione nominale	3000 V.CC～10000 V.CC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
Tensione di tenuta	1,35Un CC/10S
Fattore di dissipazione	tgδ≤0,001 f=1KHz
Resistenza di isolamento	C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (a 20℃ 100V.DC 60S) C＞0,33μF RS*C≥5000S (a 20℃ 100V.DC 60S)
Resistere alla corrente di spunto	vedi scheda tecnica
Aspettativa di vita	100000h(Un; Θpunto caldo≤70°C)
Standard di riferimento	IEC 61071;

Caratteristica

1. Nastro Mylar, sigillato con resina;

2. Cavi in rame;

3. Resistenza ad alta tensione, basso tgδ, basso aumento di temperatura;

4. bassi livelli di ESL e ESR;

5. Corrente ad alto impulso.

Applicazione

1. GTO Snubber.

2. Ampiamente utilizzato nelle apparecchiature elettroniche di potenza quando la tensione di picco, la protezione dall'assorbimento di corrente di picco.

Circuito tipico

Disegno schematico

Specifica

Un=3000V.CC
Capacità (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	Inglese come seconda lingua (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.CC
Capacità (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	Inglese come seconda lingua (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.CC
Capacità (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	Inglese come seconda lingua (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.CC
Capacità (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	Inglese come seconda lingua (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.CC
Capacità (μF)	φD (mm)	L(mm)	L1(mm)	Inglese come seconda lingua (nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70